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  • 所属分类:磁控溅射
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2022-10-04 15:36:58
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

设备用途

JGP-450型单室磁控溅射系统用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、 科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

◆设备组成

系统主要由溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热台、 工作气路、 抽气系统、 真空测量、 电控系统及安装机台等部分组成。磁力送样机构、 工作气路、 抽气系统、 安装机台、 真空测量及电控系统等部分组成。

◆技术指标

极限真空度:≤6.6×10-5 Pa (经烘烤除气后);

系统真空检漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.l/S;

系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,40分钟可达到8.0×10-4 Pa;

停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;

磁控溅射设备性能举例:

1.用直流电源磁控沉积金属Cu膜,可以制备出沉积速度40nm/min的膜层;同时小样品的膜厚均匀性可以达到3%;可以在硬质和柔性沉底生长膜层;常温也可以沉积Cu膜,不脱落,但是结合力不好;

2.用射频电源磁控沉积氧化硅和氧化铝膜层(等各头氧化物薄膜),可以制备出沉积速度3—5nm/min的膜层;小样品膜层厚度均匀性可以达到3%;膜层的介电性能较好;

系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片加热公自转台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。

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